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如何降低PVD膜層結(jié)構(gòu)缺陷?
來(lái)源: | 發(fā)布日期:2021-09-29

隨著社會(huì)的發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)金屬件有了更多的要求,PVD鍍膜行業(yè)也得到迅速發(fā)展。但是由于要制備PVD膜層的基體表面并非完全均勻平整,而且PVD膜層的生長(zhǎng)從初始的形核直至膜層的生長(zhǎng)均是以一種非連續(xù)均勻、一致的方式。PVD膜層的柱狀生長(zhǎng)機(jī)制使得在生長(zhǎng)后期遺留了空隙,形成膜層的各種結(jié)構(gòu)缺陷。因此,PVD膜層的微孔等結(jié)構(gòu)缺陷的形成幾乎是不可避免的,只能通過(guò)各種技術(shù)來(lái)降低缺陷的數(shù)量和尺寸。

PVD膜層

PVD膜層缺陷的數(shù)量以及大小取決于PVD的工藝類型、沉積狀態(tài),尤其是基體溫度和沉積偏壓。同時(shí),基體的表面質(zhì)量諸如表面粗糙度、缺陷等也與表面膜層的缺陷密不可分。PVD技術(shù)無(wú)法克服因表面粗糙度高引起的陰影效應(yīng),從而使得制備的膜層受基體本身的影響較大,均勻性不好,致密性也很差,因此制備膜層的基體表面必須盡可能平整、光滑。另外,摻雜原子的添加也可優(yōu)化涂層的顯微組織結(jié)構(gòu),提高耐蝕性;高的沉積偏壓使得到達(dá)基體表面的沉積原子的能量增大,導(dǎo)致形核條件的改變。另外高能粒子的轟擊更能使得形成的膜層更加致密,進(jìn)一步消除前期膜層中形成的缺陷,從而降低PVD膜層的空隙率,提高其耐蝕性能。

消除PVD膜層表面缺陷的另外一類技術(shù)就是沉積多層復(fù)合膜,通過(guò)復(fù)合膜層的匹配增加膜層厚度,消除通孔等結(jié)構(gòu)缺陷。這一類體系的PVD膜層有金屬氮化物/金屬以及金屬氮化物復(fù)合體系等。通過(guò)工藝調(diào)整以及膜層的匹配性選擇,便能取得比單一PVD膜層體系更好的耐腐蝕性能。

【本文標(biāo)簽】 PVD膜層

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